第 2 章 认识元件:不是它是什么,而是怎么用它
本章目标:你不需要成为元件物理学家。你只需要知道——拿到一个元件,它在板子上干什么活、怎么选、怎么接。
2.1 电阻#
一句话本质#
电阻就是”电流的减速带”。它不产生能量,只消耗能量,把电能变成热量。
2.1.1 三个关键参数#
| 参数 | 含义 | 你需要关心什么 |
|---|---|---|
| 阻值(Ω) | 对电流的阻碍大小 | 决定电流多大、分压多少 |
| 功率(W) | 最多能”烧”多少热 | 超过就冒烟,必须留余量 |
| 精度(%) | 实际阻值和标称值的偏差 | 普通电路 ±5% 够用,精密电路用 ±1% |
功率怎么算?
📌 经验法则:实际功耗不要超过额定功率的 50%~70%。比如算出来电阻上要消耗 0.08W,那至少选 1/8W(0.125W)的封装。
2.1.2 封装是什么意思?#
你在原理图上画一个电阻符号,但到了 PCB 上,它得有一个物理尺寸。这个尺寸就叫”封装”。
贴片电阻的封装用 4 位数字 表示,单位是英寸的百分之一:
| 封装代码 | 尺寸(mm) | 额定功率 | 典型场景 |
|---|---|---|---|
| 0402 | 1.0 × 0.5 | 1/16W(62mW) | 手机主板、空间极度受限 |
| 0603 | 1.6 × 0.8 | 1/10W(100mW) | 通用首选,大多数数字电路 |
| 0805 | 2.0 × 1.25 | 1/8W(125mW) | 工业控制、LED 限流 |
| 1206 | 3.2 × 1.6 | 1/4W(250mW) | 电源模块、大功率场景 |
| 2512 | 6.3 × 3.2 | 1W | 电流采样、电机控制 |
📌 新手建议:除非空间特别紧张,默认用 0603。它够小、够好焊、功率对大多数信号电路绑绑有余。
怎么读封装代码?
0603= 0.06 英寸 × 0.03 英寸 = 1.6mm × 0.8mm0805= 0.08 英寸 × 0.05 英寸 = 2.0mm × 1.25mm
2.1.3 实际场景:电阻在板子上干什么?#
① 限流#
最经典的用法。LED 前面串一个电阻,限制电流不让 LED 烧掉(2.6 节详讲)。
VCC ──[R]──┤LED├── GNDplaintext② 分压#
两个电阻串联,从中间取一个”按比例缩小”的电压。
VCC (12V)
│
[R1] = 10kΩ
│
├──► Vout = 12V × R2/(R1+R2) = 3.3V
│
[R2] = 3.9kΩ
│
GNDplaintext典型应用:把 12V 电池电压分压到 0~3.3V,送给 MCU 的 ADC 测量。
③ 上拉 / 下拉#
问题:MCU 的输入引脚如果什么都不接,电压是”浮空”的——可能是 0V,可能是 3.3V,也可能在两者之间随机跳动。这叫不确定状态,会导致误触发。
解决:用一个电阻把引脚”拉”到一个确定的电平。
- 上拉电阻:引脚 → 电阻 → VCC。默认高电平,按键按下时拉低。
- 下拉电阻:引脚 → 电阻 → GND。默认低电平,按键按下时拉高。
VCC (3.3V)
│
[R] 10kΩ ← 上拉电阻
│
GPIO ─────┤
│
[按键]
│
GNDplaintext📌 常用阻值:
- 按键 / 普通 IO:4.7kΩ ~ 10kΩ
- I²C 总线:2.2kΩ ~ 4.7kΩ(需要更快的上升沿)
- 低功耗场景:可以用到 100kΩ(但抗干扰能力下降)
④ 电流采样#
在电源回路中串一个极小阻值的电阻(如 0.1Ω、0.01Ω),测量它两端的压降,就能算出电流:
比如 0.1Ω 电阻上测到 50mV,说明电流 = 50mV / 0.1Ω = 500mA。 这种电阻叫”采样电阻”或”shunt resistor”,通常用 2512 封装(功率大)、精度 ±1%。
2.2 电容#
一句话本质#
电容是”电压的蓄水池”。它存储电荷,阻止电压突变。电压想跳变?电容说:“不行,我得先充/放电。“
2.2.1 三大类电容对比#
| 特性 | 陶瓷电容(MLCC) | 铝电解电容 | 钽电容 |
|---|---|---|---|
| 容值范围 | 1pF ~ 47μF | 1μF ~ 数千μF | 0.1μF ~ 1000μF |
| ESR | 极低(mΩ级) | 高(Ω级) | 中等 |
| 频率特性 | 极好(高频首选) | 差(仅低频) | 中等 |
| 有无极性 | ❌ 无极性 | ✅ 有极性 | ✅ 有极性 |
| 耐压 | 2V ~ 1000V | 5V ~ 500V | 2V ~ 50V |
| 体积 | 极小 | 大 | 较小 |
| 失效模式 | 短路(罕见) | 漏液、鼓包 | ⚠️ 可能起火爆炸 |
| 典型应用 | 去耦、高频滤波 | 电源储能、低频滤波 | 空间受限的电源滤波 |
📌 新手记忆口诀:
- 高频小电容 → 陶瓷
- 大容量储能 → 电解
- 体积敏感 + 中等容量 → 钽(但必须降额 50% 使用!)
2.2.2 关键参数#
- 容值(F):存多少电荷。单位换算:1F = 10⁶μF = 10⁹nF = 10¹²pF
- 耐压(V):超过就击穿。实际工作电压 ≤ 额定耐压的 50%~70%
- ESR(等效串联电阻):电容不是理想的,内部有电阻。ESR 越大,高频滤波效果越差,发热越严重
2.2.3 核心问题:为什么每个 VCC 旁边都有 100nF?#
这是新手最常见的疑问。答案是去耦(Decoupling)。
问题场景:
MCU 内部的晶体管在高速开关(比如 72MHz 主频),每次开关都会瞬间”抽”一大口电流。如果这口电流要从远处的电源模块经过长长的 PCB 走线送过来——
- PCB 走线有寄生电感(约 1nH/mm)
- 电感阻止电流突变:
- 结果:芯片电源引脚上的电压会瞬间跌落(电压下冲)
后果:MCU 随机复位、ADC 读数跳变、通信出错。
解决方案:在芯片电源引脚旁边放一个”小水池”(100nF 陶瓷电容),让芯片瞬间需要的电流就近从电容取,不用跑远路。
VCC 电源总线
│
┌─────┤
│ │
[C1] [C2]
100nF 10μF
│ │
└─────┤
│
MCU VCC 引脚plaintext为什么是 100nF?
这不是拍脑袋决定的:
- 100nF 的 0603 陶瓷电容,自谐振频率约 10~30MHz
- 大多数数字芯片的开关噪声集中在 1MHz ~ 100MHz
- 100nF 恰好覆盖了这个频段,提供最低阻抗
为什么还要并联一个 10μF?
- 100nF 管高频(MHz 级)
- 10μF 管低频(kHz 级)和储能
- 两者配合,覆盖从低频到高频的完整噪声频谱
📌 布局铁律:100nF 电容必须紧贴芯片电源引脚放置,走线越短越好。如果放远了,走线电感会让它”失效”。
2.2.4 电容的四大应用场景#
| 场景 | 做什么 | 典型容值 |
|---|---|---|
| 去耦 | 给芯片提供瞬态电流,稳定电源 | 100nF + 10μF |
| 滤波 | 配合电感/电阻,滤除特定频率噪声 | 视截止频率而定 |
| 耦合 | 隔直通交,只让交流信号通过 | 100nF ~ 10μF |
| 定时 | 配合电阻决定充放电时间(RC 电路) | 视时间常数而定 |
2.3 电感与磁珠#
一句话区分#
- 电感:储能元件,“通直流、阻交流”,能量存在磁场里,不消耗
- 磁珠:耗能元件,高频时变成”电阻”,把噪声能量变成热烧掉
2.3.1 电感#
长什么样:线圈绕在磁芯上(或一体成型),原理图上用 L 表示。
核心参数:
| 参数 | 含义 | 为什么重要 |
|---|---|---|
| 感值(H) | 阻碍电流变化的能力 | 决定滤波频率、储能大小 |
| 饱和电流(Isat) | 超过后电感值骤降 | 超过 = 电感”废了” |
| DCR(直流电阻) | 线圈导线的电阻 | 越大 → 发热越大、效率越低 |
| 额定电流(Irms) | 温升允许的最大电流 | 超过会过热 |
用在哪:
- DC-DC 开关电源:储能 + 滤波(Buck/Boost 的核心元件)
- LC 滤波:配合电容组成低通滤波器,滤除电源纹波
- EMI 滤波:阻止高频噪声通过电源线传播
2.3.2 磁珠#
长什么样:和电感很像(都是一个小方块),但原理图上用 FB(Ferrite Bead)表示。
核心参数:
| 参数 | 含义 |
|---|---|
| 阻抗(Ω @ 100MHz) | 在指定频率下的”阻力”大小 |
| 额定电流 | 超过会过热甚至烧毁 |
| DCR | 直流电阻,越小越好 |
📌 磁珠的型号命名:比如
BLM18AG102SN1,其中102= 100MHz 时阻抗为 1000Ω。
用在哪:
- 电源线进入模拟电路前串一个磁珠 → 隔离数字噪声
- 高速信号线(USB、HDMI)上串磁珠 → 抑制高频谐波辐射
- 两个电路模块之间串磁珠 → 高频隔离
2.3.3 电感 vs 磁珠:一张表搞定#
| 对比项 | 电感 | 磁珠 |
|---|---|---|
| 本质 | 储能(不消耗能量) | 耗能(转化为热) |
| 单位 | 亨利(H) | 欧姆(Ω) |
| 频率特性 | 感抗随频率线性增加 | 高频时阻抗增加,但会饱和 |
| 典型应用 | DC-DC、LC 滤波 | EMI 抑制、信号线滤波 |
| 能否互换? | ❌ 不能!磁珠不能储能,用在 DC-DC 会烧 |
2.4 二极管#
一句话本质#
二极管是”电流的单向阀”——正向导通,反向截止。
2.4.1 普通二极管(整流)#
- 正向压降:约 0.7V(硅管)
- 用途:把交流变成直流(整流),简单带过
- 常见型号:1N4007(1A/1000V)、1N4148(小信号)
2.4.2 肖特基二极管#
核心优势:正向压降低(0.2V ~ 0.45V),开关速度快。
用在哪:
- 防反接:串联在电源输入端,接反了不导通,保护后级电路
- 续流:并联在感性负载(电机、继电器)两端,吸收关断时的反向电动势
- 开关电源整流:低压降 → 高效率
防反接电路:
电源(+) ──┤肖特基├──► 后级电路
电源(-) ──────────────► GNDplaintext缺点:反向耐压低(通常 < 100V),反向漏电流大。
2.4.3 TVS 管(瞬态电压抑制二极管)⭐重点#
核心作用:ESD(静电放电)和浪涌保护。
工作原理:
- 正常工作时:TVS 两端电压 < 击穿电压,TVS 呈高阻态,不影响电路
- 遭遇静电/浪涌时:电压瞬间超过击穿电压,TVS 在皮秒级时间内变为低阻态,把巨大的瞬态电流泄放到地,将电压钳位在安全水平
关键参数:
| 参数 | 含义 |
|---|---|
| Vrwm(反向工作电压) | 正常工作时允许的最大电压 |
| Vbr(击穿电压) | TVS 开始导通的电压 |
| Vc(钳位电压) | 泄放额定电流时两端的电压 |
| Ipp(峰值脉冲电流) | 能承受的最大瞬态电流 |
| 结电容(Cj) | 越小越好,否则影响高速信号 |
用在哪:
- USB 接口的 D+/D- 线上(TVS 阵列,如 USBLC6-2SC6)
- 电源输入端(防浪涌)
- 按键、外部接口(防 ESD)
📌 布局铁律:TVS 必须紧贴接口/连接器放置。如果放远了,ESD 脉冲在到达 TVS 之前就已经损坏了芯片。
2.4.4 稳压管(齐纳二极管)#
核心作用:反向击穿后,两端电压基本恒定 → 简单钳位/稳压。
用在哪:
- 简单的电压钳位(比如把信号限制在 3.3V 以内)
- 低精度稳压(精度要求不高时)
- 过压检测(配合比较器)
注意:齐纳管是持续工作在击穿区的,需要串联限流电阻。TVS 是瞬态保护,平时不工作。两者不能混用。
2.4.5 四种二极管速查表#
| 类型 | 正向压降 | 核心用途 | 典型型号 |
|---|---|---|---|
| 普通硅管 | ~0.7V | 整流 | 1N4007 |
| 肖特基 | 0.2~0.45V | 防反接、续流、高效整流 | SS34、BAT54 |
| TVS | — | ESD/浪涌保护 | SMBJ5.0A、USBLC6 |
| 齐纳 | — | 钳位、简单稳压 | BZX84C3V3 |
2.5 MOS 管#
一句话本质#
MOS 管是”电压控制的开关”。给栅极(G)一个电压,就能控制漏极(D)和源极(S)之间的通断。
2.5.1 N-MOS vs P-MOS#
| 对比项 | N-MOS | P-MOS |
|---|---|---|
| 导通条件 | Vgs > Vgs(th)(栅极比源极高) | Vgs < Vgs(th)(栅极比源极低) |
| 典型接法 | 低边开关(源极接 GND) | 高边开关(源极接 VCC) |
| 导通电阻 | 小(同尺寸下更优) | 较大 |
| 成本 | 低 | 较高 |
| 驱动难度 | 简单(GPIO 直驱) | 需要电平转换(高边) |
📌 新手首选 N-MOS 做低边开关,电路最简单。
2.5.2 核心用法:当开关用#
低边开关(N-MOS):
VCC (12V)
│
[负载](电机/LED/继电器)
│
D
G ──┤ N-MOS
S
│
GNDplaintext- GPIO 输出高电平 → Vgs > Vgs(th) → MOS 导通 → 负载得电
- GPIO 输出低电平 → Vgs = 0 → MOS 关断 → 负载断电
高边开关(P-MOS):
VCC (5V)
│
S
G ──┤ P-MOS
D
│
[负载]
│
GNDplaintext- GPIO 拉低 → Vgs < Vgs(th)(负值)→ MOS 导通
- GPIO 拉高到 VCC → Vgs = 0 → MOS 关断
2.5.3 关键参数#
| 参数 | 含义 | 选型建议 |
|---|---|---|
| Vgs(th) | 开始导通的阈值电压 | 3.3V 系统选逻辑电平 MOS(Vgs(th) < 2V) |
| Rds(on) | 完全导通时的电阻 | 越小越好,决定发热 |
| Id | 最大漏极电流 | 留 2 倍以上余量 |
| Vds(max) | 最大漏源电压 | 必须大于实际工作电压 |
⚠️ 常见坑:Vgs(th) = 2V 只表示”开始导通”,不代表”完全导通”!要看 Rds(on) 对应的 Vgs 条件(通常是 4.5V 或 10V)。3.3V GPIO 驱动时,必须选 Logic Level MOSFET。
2.5.4 栅极驱动电阻#
为什么需要?
MOS 管的栅极和源极之间有寄生电容(Cgs,通常几百 pF ~ 几 nF)。如果 GPIO 直接驱动:
- 开通瞬间,GPIO 需要对 Cgs 快速充电 → 产生很大的瞬态电流
- PCB 走线有寄生电感 → 可能引起栅极振荡(振铃)
- 振荡会导致 MOS 管反复开关 → 发热、EMI
解决:在 GPIO 和栅极之间串一个 10Ω ~ 100Ω 的电阻。
GPIO ──[Rg 10~100Ω]──┤G
│ MOS
S├── GNDplaintext📌 电阻越大 → 开关越慢 → 开关损耗增加 电阻越小 → 开关越快 → 但可能振荡 一般 10Ω ~ 47Ω 是安全起点。
2.6 LED#
一句话本质#
LED 是”会发光的二极管”。它是电流驱动型器件——亮度由电流决定,不是电压。
2.6.1 为什么不能直接接电源?#
LED 的 V-I 曲线非常陡峭:电压稍微增加一点,电流就会暴增。
- 红色 LED 正向压降约 1.8V,如果你直接接 3.3V → 电流可能飙到几百 mA → 瞬间烧毁
- 即使不烧,电流不可控 → 亮度不稳定 → 寿命急剧缩短
所以必须串联限流电阻!
2.6.2 正向压降(Vf)#
不同颜色的 LED,正向压降不同:
| 颜色 | 正向压降 Vf | 典型工作电流 |
|---|---|---|
| 🔴 红色 | 1.8 ~ 2.2V | 10 ~ 20mA |
| 🟡 黄色 | 2.0 ~ 2.2V | 10 ~ 20mA |
| 🟢 绿色 | 2.0 ~ 3.0V | 10 ~ 20mA |
| 🔵 蓝色 | 3.0 ~ 3.4V | 10 ~ 20mA |
| ⚪ 白色 | 3.0 ~ 3.6V | 10 ~ 20mA |
⚠️ 3.3V 系统驱动蓝/白 LED 要特别注意:Vf 可能接近 3.3V,留给限流电阻的压降很小,电流难以控制。此时可能需要降低工作电流(如 5mA)或用恒流驱动。
2.6.3 限流电阻计算#
例题:5V 电源驱动红色 LED(Vf = 2.0V),目标电流 10mA:
选标准值 330Ω 即可。
验证功率:
2.6.4 常见接法#
方式一:GPIO 高电平点亮(灌电流)
GPIO ──[R 330Ω]──┤LED├── GND
(GPIO 输出高 → LED 亮)
方式二:GPIO 低电平点亮(拉电流)
VCC ──[R 330Ω]──┤LED├── GPIO
(GPIO 输出低 → LED 亮)plaintext📌 大多数 MCU 的灌电流能力 > 拉电流能力,所以方式一更常用。
2.7 晶振#
一句话本质#
晶振是 MCU 的”心跳”。没有它,MCU 不知道”时间”过了多少,无法执行指令、无法通信。
2.7.1 为什么 MCU 需要晶振?#
MCU 内部有内部 RC 振荡器(HSI),但:
- 精度差(±1%~5%),温度漂移大
- 无法满足 UART、USB 等对时钟精度要求高的外设
所以需要外部晶振提供高精度、高稳定的时钟(通常 ±10ppm ~ ±20ppm)。
2.7.2 无源晶振 vs 有源晶振#
| 对比项 | 无源晶振(Crystal) | 有源晶振(Oscillator) |
|---|---|---|
| 本质 | 石英晶体谐振器(被动器件) | 晶体 + 振荡电路(主动器件) |
| 引脚 | 2 脚(或 4 脚,2 脚接地) | 4 脚(VCC、GND、OUT、NC) |
| 需要供电? | ❌ 不需要 | ✅ 需要 |
| 需要外部电容? | ✅ 需要 2 个负载电容 | ❌ 不需要 |
| 输出波形 | 正弦波(幅度小) | 方波(可直接驱动逻辑) |
| 精度 | ±10 ~ ±50 ppm | ±0.1 ~ ±50 ppm |
| 成本 | 低 | 较高 |
| 典型应用 | MCU 主时钟(STM32、ESP32) | 高精度时钟、多芯片共享时钟 |
📌 90% 的 MCU 设计用无源晶振,因为便宜、够用。
2.7.3 负载电容怎么配?#
无源晶振的规格书上会写一个参数:Load Capacitance(CL),比如 12pF、18pF、20pF。
你需要在晶振两端各接一个电容到地,让电路的等效负载电容 = 规格书要求。
计算公式:
其中:
、 :外接电容(通常取相同值) :PCB 杂散电容 + 芯片引脚电容,经验值 3~5pF
简化(当 C1 = C2 = C 时):
例题:晶振规格书 CL = 12pF,估算 Cstray = 3pF:
所以两端各接一个 18pF 电容到地。
MCU
OSC_IN ──┤├── 18pF ── GND
│
[晶振 8MHz]
│
OSC_OUT ──┤├── 18pF ── GNDplaintext📌 布局要求:
- 晶振尽量靠近 MCU 的 OSC 引脚
- 晶振下方不走其他信号线(防止耦合干扰)
- 负载电容紧贴晶振放置
- 可选:并联一个 1MΩ 反馈电阻(帮助起振)
2.8 连接器与接口#
2.8.1 USB-C 引脚定义#
USB Type-C 采用 24 针对称设计,支持正反插。以下是关键引脚:
| 引脚 | 名称 | 功能 |
|---|---|---|
| A1, A12, B1, B12 | GND | 接地 |
| A4, A9, B4, B9 | VBUS | 电源正极(默认 5V,PD 可达 48V) |
| A6, B6 | D+ | USB 2.0 数据正 |
| A7, B7 | D- | USB 2.0 数据负 |
| A5 | CC1 | 配置通道 1(检测插入方向、协商供电) |
| B5 | CC2 | 配置通道 2 |
| A2/A3, B10/B11 | TX±/RX± | USB 3.x 高速差分信号 |
| A8, B8 | SBU1/SBU2 | 边带使用(DP Alt Mode 等) |
📌 如果你只做 USB 2.0 设备(如用 CH340 做串口),只需要接:VBUS、GND、D+、D-、CC(通过 5.1kΩ 电阻下拉到 GND,告诉主机”我是设备”)。
CC 引脚的作用:
- 主机通过 CC 线检测设备是否插入
- 设备端:CC 通过 5.1kΩ 电阻下拉到 GND → 表示”我是 UFP(设备)”
- 主机端:CC 通过 56kΩ 电阻上拉到 VBUS → 表示”我是 DFP(主机)“
2.8.2 Micro-USB(旧设备常见)#
| 引脚 | 名称 | 功能 |
|---|---|---|
| 1 | VBUS | 5V 电源 |
| 2 | D- | 数据负 |
| 3 | D+ | 数据正 |
| 4 | ID | OTG 识别(接地 = 主机模式) |
| 5 | GND | 地 |
2.8.3 排针排母#
- 排针(Pin Header):焊接在 PCB 上的金属针,间距通常 2.54mm(0.1 英寸)
- 排母(Female Header):套在排针上的插座
- 用途:开发板扩展、模块连接、调试接口(SWD)
2.8.4 FPC 连接器#
- FPC(Flexible Printed Circuit):柔性电路板
- 连接器有”翻盖式”和”抽屉式”
- 注意引脚数、间距(0.5mm / 1.0mm)、接触面方向(上接/下接)
2.8.5 板对板连接器#
- 用于两块 PCB 之间的连接(如主板 + 显示屏模块)
- 常见品牌:Hirose、Molex、TE
- 关键参数:pin 数、间距、堆叠高度、扣合力
2.8.6 怎么查引脚定义?#
- 看连接器丝印:PCB 上通常标有 Pin 1 的位置(小三角或圆点)
- 查数据手册:在连接器厂商官网搜索型号,下载 datasheet
- 看原理图:找到连接器的网络标号,追踪到对应的信号
- 万用表实测:通电前用万用表的通断档确认引脚对应关系
📌 新手常犯错误:
- 排针/排母接反(Pin 1 方向搞错)
- FPC 连接器接触面方向搞反
- USB-C 的 CC 电阻忘加 → 主机检测不到设备
本章小结#
| 元件 | 一句话 | 最常用场景 |
|---|---|---|
| 电阻 | 限制电流、分配电压 | 限流、分压、上下拉 |
| 电容 | 稳定电压、滤除噪声 | 去耦(100nF!)、滤波 |
| 电感 | 储能、阻交流 | DC-DC、LC 滤波 |
| 磁珠 | 烧掉高频噪声 | EMI 抑制 |
| 二极管 | 单向导电 | 整流、防反接 |
| 肖特基 | 低压降单向阀 | 防反接、续流 |
| TVS | 瞬态电压钳位 | ESD 保护 |
| MOS 管 | 电压控制开关 | 驱动负载、电源通断 |
| LED | 电流驱动发光 | 指示灯(必须限流!) |
| 晶振 | 提供精确时钟 | MCU 主时钟 |
| 连接器 | 板子之间的桥梁 | USB、排针、FPC |
参考图片说明#
由于版权限制,以下提供建议搜索的参考图片关键词,读者可自行搜索查看:
- 贴片电阻封装尺寸对比图:搜索 “SMD resistor package size comparison 0402 0603 0805 1206”
- 去耦电容布局示意图:搜索 “decoupling capacitor placement PCB”
- 陶瓷电容 vs 电解电容 vs 钽电容实物图:搜索 “ceramic electrolytic tantalum capacitor comparison”
- 电感与磁珠频率阻抗曲线对比:搜索 “inductor vs ferrite bead impedance frequency curve”
- TVS 管钳位波形图:搜索 “TVS diode clamping waveform”
- N-MOS 低边开关电路图:搜索 “N-channel MOSFET low side switch circuit”
- LED 限流电阻电路图:搜索 “LED current limiting resistor circuit”
- 无源晶振负载电容电路图:搜索 “crystal oscillator load capacitor circuit MCU”
- USB Type-C 24pin 引脚定义图:搜索 “USB Type-C 24 pin pinout diagram”
- 上拉电阻下拉电阻电路对比图:搜索 “pull-up pull-down resistor circuit comparison”
下一章预告:第 3 章将进入运放的世界——模拟电路的”万能胶”。你将学会用”虚短虚断”两步法分析任何运放电路,并了解 TIA、差分放大器等实战电路。